Beskrivning

Tekniska parametrar

Produktbeskrivning

SOI står för silicon-on-sulator, En SOI-wafer består av 3 grundläggande lager, ett enhetslager, ett BOX-lager och ett Handle-lager. BOX-lagret, även kallat Buried Oxide-lagret, fångas mellan enhetslagret och handtagslagret.

Transistorer bildas i det övre enhetslagret som är centrum för SOI-waferns hastighet och effektivitet. Dessa transistorer är inte bara bra när det gäller att spara ström utan är skyddade från externa faktorer som kosmisk strålning och radioaktiva störningar, vilket leder till minskad dataförlust.

SOI-kiselskivor är idealiska för högpresterande IC:er, såsom mikroprocessorer, eftersom de ger en mer stabil och pålitlig grund för kretsen. Dessutom är de väl lämpade för trådlösa kommunikationsenheter, som kräver låg strömförbrukning och hög hastighet dataöverföring för att fungera effektivt.

Sammantaget erbjuder SOI kiselskivor betydande fördelar jämfört med traditionella kiselskivor, vilket gör dem till en kritisk komponent vid tillverkning av modern elektronik.

Vi kan tillhandahålla en diameter på 2"-12", toppkiseltjocklek på 55nm-500um, begravd syreskikttjocklek på 175nm-16um.

Sibranch erbjuder SOI-wafers av följande typer:

Tjock SOI Wafer

Denna typ av wafer har en enhetstjocklek från 1 µm till 300 µm.

Ultratunn SOI Wafer

Denna typ av wafer har enhetstjocklek<500nm.

Ultrauniform SOI Wafer

Enhetens tjocklek kan vara så låg som ±0,5 µm för tjock SOI och ±10 nm för ultratunn SOI.

Ultraplatt SOI Wafer

Denna typ av SOI har mycket låg BOW/WARP/TTV för specifika applikationer.

Diameter	76, 100 mm, 125 mm, 150 mm, 100 mm, 300 mm
Enhetens tjocklek och maximal tolerans	76 mm, 100 mm, 125 mm och 150 mm	2-50 +/- .5μm, 0.1~1+/- .025μm
		50-150 +/- 1μm
		>150 +/- 2μm
		6-50 +/- .5μm
	200 mm	50-150 +/- 1μm
		>150 +/- 2μm

Oxidlagertjocklek	Standard – .5μm, 1μm och 2μm
Oxidlagertjocklek	Tillval – .1 – 10μm
Handtag Wafer Tjocklek	3", 100mm – 300μm och uppåt
	125 mm, 150 mm – 400 μm och uppåt
	200mm – 500μm och uppåt
	Tolerans: Standard +/- 25μm
	Special +/- 5μm
Dopmedel	N-typ – Fosfor, Arsenik och Antimon
Dopmedel	P Typ – Bor
Resistiviteter	De flesta resistiviteter tillgängliga på begäran, inklusive flytzon med hög resistivitet och låg resistivitet CZ
Orientering	<1-0-0>Standard,<1-1-1>och<1-1-0>Valfritt på begäran
	Standardtolerans +/- ,5 grader
	Särskild tolerans så låg som +/- 0,1 grad
Platt orientering	Alla större lägenheter/Notches finns på<110>Plan +/-,5 grader
	Snävare specifikationer finns på begäran
	Semi std minor lägenheter är standard på 76,2 och 100 mm
Avsluta	Dubbelsidig polerad standard
Avsluta	Valfria ytbehandlingar på baksidan – nanoslipning eller oxid
Beläggningar	Oxid och nitrid kan tillföras på båda sidor av wafern.
Valfritt jonimplanterat begravt lager	Ett nedgrävt lager kan implanteras i det aktiva lagret vid bindningsgränsytan. Kontrollera om det önskade dopämnet, dopämneskoncentrationen och önskade energierna är tillgängliga. Denna tjänst tillhandahålls av en extern entreprenör.

Produktbild

varför välja oss

Våra produkter kommer uteslutande från världens fem främsta tillverkare och ledande inhemska fabriker. Stöds av högutbildade inhemska och internationella tekniska team och stränga kvalitetskontrollåtgärder.

Vårt mål är att ge kunderna omfattande en-till-en-support, vilket säkerställer smidiga kommunikationskanaler som är professionella, aktuella och effektiva. Vi erbjuder en låg minimibeställningskvantitet och garanterar snabb leverans inom 24 timmar.

Fabriksutställning

Vårt stora lager består av 1000+ produkter, vilket säkerställer att kunder kan lägga beställningar för så lite som ett stycke. Vår egenägda utrustning för tärning och bakslipning och vårt fullständiga samarbete i den globala industrikedjan gör att vi kan leverera snabbare för att säkerställa kundnöjdhet och bekvämlighet.

Vårt certifikat

Vårt företag är stolta över de olika certifieringar vi har tjänat, inklusive vårt patentcertifikat, ISO9001-certifikat och National High-Tech Enterprise-certifikat. Dessa certifieringar representerar vårt engagemang för innovation, kvalitetsledning och engagemang för excellens.