Om Sibranch Microelectronics
Sibranch Microelectronics grundades 2006 och har sitt huvudkontor i Ningbo, Kina, och grundades av ett team av materialvetenskapsexperter med djupa rötter i halvledarindustrin. Vårt uppdrag är att leverera högkvalitativa-halvledarwafers och relaterade tjänster till kunder över hela världen.
Vårt produktsortiment
Vi är specialiserade på en omfattande portfölj av silikonwafers, inklusive:
- Standard enkel-sidespolerade (SSP) och dubbel-sidespolerade (DSP) wafers
- Testa wafers och förstklassiga wafers
- Silikon-på-isolatorskivor (SOI).
- Coinroll wafers
- Diametrar tillgängliga upp till 12 tum
- Tillväxtmetoder: CZ, MCZ och FZ
- Anpassade alternativ: Neutronbestrålning, valfri kristallografisk orientering, avskurna substrat, breda resistivitetsintervall (högt och lågt), ultra-platta, ultra-tunna och tjocka wafers
Mervärde-tjänster
Utöver utbudet av wafer, erbjuder vårt erfarna team avancerade bearbetningsmöjligheter:
- Tunnfilmsavsättning (oxid, nitrid, metallskikt)
- Kiselepitaxiell tillväxt och epitaxitjänster (SOS, GaN, GOI, etc.)
- Råntunning, bakslipning och tärning
Specialrån
Vi levererar också ett brett utbud av specialkristallina substrat:
- Safirskivor: 2" till 8", tillgänglig i A-plan, R-plan, M-plan, C-plan med alternativ för epi-polering och finslipning
- GaAs wafers: 2" till 8", P-typ, N-typ, halv-ledande och halv-isolerande kvaliteter
- SiC-skivor: 4" till 12", 4H-N, 6H-N och 6H-SI polytyper
- Glasskivor: 1" till 12", Fused Silica, Borofoat och B270 material
- Enkristallkvartsskivor: 2" till 6", X-cut, Y-cut och Z-cut orientering
