Grundläggande introduktion av SOI Silicon Wafer

Företaget kan förse kunder med olika specifikationer och högkvalitativa SOI-kiselskivor (Silicon On Insulator-Silicon On Insulator), som är lämpliga för kunder inom ett brett spektrum av applikationer inklusive MEMS, kraftenheter, trycksensorer och CMOS-integrerade kretstillverkning. SOI-wafers är en bra lösning för höghastighets- och lågeffektsenheter och anses allmänt vara en ny lösning för högspännings- och RF-enheter. SOI-wafern är en sandwichliknande sandwichstruktur med tre lager; inklusive det övre skiktet (enhetslagret), det mellersta begravda oxidskiktet (isolerande SiO2-skikt) och det undre substratet (bulkkisel). SOI wafers produceras med SIMOX-metoden och wafer bonding-teknik, så att tunnare och mer exakta enhetslager, enhetlig tjocklek och låg defektdensitet kan uppnås.