SiC   Dummy   Wafer

SiC Dummy Wafer

SiC dummy wafer är en högkvalitativ produkt som används flitigt inom halvledarindustrin. Det är en kiselkarbidskiva som är designad speciellt för att testa och felsöka halvledarenheter.
Skicka förfrågan
chatta nu
Beskrivning
Tekniska parametrar
Produktbeskrivning

 

SiC dummy wafer är en högkvalitativ produkt som används flitigt inom halvledarindustrin. Det är en kiselkarbidskiva som är designad speciellt för att testa och felsöka halvledarenheter. SiC dummy wafer är ett viktigt verktyg för halvledartillverkare, eftersom det hjälper dem att säkerställa kvaliteten och integriteten hos sina produkter.

 

En av de viktigaste fördelarna med SiC dummy wafer är dess höga renhet och enhetlighet. Detta säkerställer att det ger korrekta och tillförlitliga resultat vid testning och felsökning av halvledarenheter. Skivan är också mycket hållbar och motståndskraftig mot skador, vilket gör den till ett idealiskt val för användning i tuffa driftsmiljöer.

 

En annan fördel med SiC dummy wafer är dess mångsidighet. Den kan användas i ett brett utbud av halvledarapplikationer, inklusive kraftenheter, RF-enheter och optoelektronik. Detta gör det till ett värdefullt verktyg för halvledartillverkare som behöver testa en mängd olika enheter.

 

4H N-TYP SiC 100 MM, 350μm WAFER SPECIFIKATION

Artikelnummer

W4H100N-4-PO (eller CO)-350

Beskrivning

4H SiC-substrat

Polytyp

4H

Diameter

(100+0.0-0.5) mm

Tjocklek

(350±25) μm (ingenjörsgrad ±50μm)

Bärartyp

n-typ

Dopant

Kväve

Resistivitet (RT)

0.012-0.025Ω▪cm (teknikbetyg<0.025Ω▪cm)

Wafer orientering

(4+0.5) grad

Ingenjörsgrad

Produktionsklass

Produktionsklass

2.1

2.2

2.3

Mikrorördensitet

Mindre än eller lika med 30 cm-²

Mindre än eller lika med 10cm-²

Mindre än eller lika med 1 cm-²

Micropipe Fritt område

Ej angivet

Större än eller lika med 96 %

Större än eller lika med 96 %

Orienteringslägenhet (OF)

 

Orientering

Parallell {1-100} ±5 grader

Orientering platt längd

(32,5±2.0) mm

ldentifieringslägenhet (IF)

 

Orientering

Sida: 90 grader cw, från orientering platt ±5 grader

ldentifiering platt längd

(18.0+2.0) mm

 

Yta

Alternativ 1: Si-face standardpolish Epi-ready C-face optisk polish

Alternativ 2: Si-face CMP Epi-ready, C-face optisk polish

Paket

Flera wafer (25) fraktlåda

(Enstaka oblatpaket på begäran)

 

6H N-TYP SiC, 2" WAFER SPECIFIKATION

Artikelnummer

W6H51N-0-PM-250-S

Beskrivning

Produktionsgrad 6H SiC-substrat

Polytyp

6H

Diameter

(50,8±38) mm

Tjocklek

(250±25) um

Bärartyp

n-typ

Dopning

Kväve

Resistivitet (RT)

0.06-0.10Ω▪cm

Wafer orientering

(0+0.5) grad

Mikrorördensitet

Mindre än eller lika med 100 cm-²

Orientering platt orientering

Parallell {1-100} ±5 grader

Orientering platt längd

(15,88±1,65) mm

Identifiering platt orientering

Si-face: 90 grader cw. panna orientering platt ±5 grader

ldentifiering platt längd

(8+1.65) mm

Yta

Si-ansikte standard polering Epi-klar

C-face mattad

Paket

Paket enstaka wafer-paket eller flera wafer-fraktlåda

 

Produktbild

 

01
 
02
 

SiC GaN Wafer

varför välja oss

 

Våra produkter kommer uteslutande från världens fem främsta tillverkare och ledande inhemska fabriker. Stöds av högutbildade inhemska och internationella tekniska team och stränga kvalitetskontrollåtgärder.

Vårt mål är att ge kunderna omfattande en-till-en-support, vilket säkerställer smidiga kommunikationskanaler som är professionella, aktuella och effektiva. Vi erbjuder en låg minimibeställningskvantitet och garanterar snabb leverans inom 24 timmar.

 

Fabriksutställning

 

Vårt stora lager består av 1000+ produkter, vilket säkerställer att kunder kan lägga beställningar för så lite som ett stycke. Vår egenägda utrustning för tärning och bakslipning och vårt fullständiga samarbete i den globala industrikedjan gör att vi kan leverera snabbare för att säkerställa kundnöjdhet och bekvämlighet.

01
02
03

 

Vårt certifikat

 

Vårt företag är stolta över de olika certifieringar vi har tjänat, inklusive vårt patentcertifikat, ISO9001-certifikat och National High-Tech Enterprise-certifikat. Dessa certifieringar representerar vårt engagemang för innovation, kvalitetsledning och engagemang för excellens.

01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
13
14

 

Populära Taggar: sic dummy wafer, Kina sic dummy wafer tillverkare, leverantörer, fabrik