| MASSA | PRODUKT | DIAMETER | KRISTALL | TYP | DYSTER | ORIENTERING | TJOCKLEK | RESISTIVITET | |
| G8P131 | SÅ JAG | 200 | CZ | P | B | 100 | 725±15 | 14~19 | Enhet: 55±7,5nm, 8~12 ohm.cm / Box: 145±10nm, skåra<110> |
| C19404-3-2 | SÅ JAG | 200 | CZ | NA | NA | 100 | 725±15 | >750 | Enhet: 210~230nm, 8~12 ohm.cm / Box: 2950~3050nm |
| G8P238S | SÅ JAG | 200 | CZ | P | B | 100 | 725±15 | 14~19 | Enhet: 200~240nm, 8~12 ohm.cm / Box: 1950~2050nm |
| G8P217 | SÅ JAG | 200 | CZ | NA | NA | 100 | 725±15 | >750 | Enhet: 210~230nm, P<100>, 8~12 ohm.cm / Box: 1950~2050nm |
| G8P500 | SÅ JAG | 200 | CZ | P | B | 100 | 725±15 | 8~12 | Enhet: 500±50nm / Box: 2950~3050nm, Notch Orientering<110> |
| G8P600 | SÅ JAG | 200 | CZ | P | B | 100 | 725±15 | 8~12 | Enhet: 600±60nm / Box: 2950~3050nm, Notch Orientering<110> |
| G8P340 | SÅ JAG | 200 | CZ | P | B | 100 | 725±15 | 8~12 | Enhet: 340±25nm / Box: 2900~3100nm, Notch Orientering<110> |
| G8P288 | SÅ JAG | 200 | CZ | P | B | 100 | 725±15 | >1000 | Enhet: 145±12,5nm, 8~12 ohm.cm / Box: 400±25nm,Notch<110> |
| G8M107 | SÅ JAG | 200 | CZ | N | PH | 100 | 725±15 | 0.3~1.2 | Enhet: 1500±80nm, P/B<100>, 14~22 ohm-cm / Box: 950~1050nm, Notch<100> |
| 230300058 | SÅ JAG | 150 | CZ | P | B | 100 | 450±5 | 1~10 | Enhet: 15μm±0.5μm P 0.01~0.02 / Box: 5μm±5%,DSP |
| 1511032 | SÅ JAG | 100 | CZ | N | 100 | 475±25 | NA | Enhet: 20μm±0.5 N 0.001~0.02 / Box: 15μm±3% | |
| G8N70 | SÅ JAG | 200 | CZ | N | Ph | 100 | 725±10 | 1~10 | Enhet: 70μm±5% / Box: 1000nm±5% |
| G8K00318 | SÅ JAG | 200 | CZ | P | B | 100 | 625±10 | >1000 | Enhet: 1,5±0.5μm,<0.02 ohm.cm / Box : 2μm±5% |
| A0210 | SÅ JAG | 200 | CZ | P | B | 100 | 725±15 | 8.5~11.5 | Enhet: 1250±100nm / Box: 400±40nm |
| 112301 | SÅ JAG | 100 | CZ | N | Sb | 100 | 300 | 0.005~0.025 | Enhet: 30μm / Box: 0,5μm |
| G6P163S | SÅ JAG | 150 | CZ | P | B | 100 | 675±15 | 10~20 | Enhet: 200~240nm, 10~20 ohm.cm / Box: 2850~3150nm |
4,6,8-tums Silicon Wafer Inventory Update_20240311 SOI
Mar 12, 2024Lämna ett meddelande












