4,6,8 -tums Silicon Wafer Inventory Update _202506

Jun 20, 2025 Lämna ett meddelande

MASSA	PRODUKT	DIAMETER	KRISTALL	TYP	Dopande	ORIENTERING	TJOCKLEK	Resistivitet
501061S	Al	200	Cz	P	B	100	725±25	1~100	200-300 A TI följt av 8000A PVD sputtered al-cu 0,5%
501201	Epitaxiell	200	Cz	P	B	100	700~750	<0.1	P/b t1 ~ 50/r1 ~ 50, mfg 22- maj -2024
501202	Epitaxiell	200	Cz	N	Ph röd	100	700~750	0~0.05	N/ph t1 ~ 10/r0.01 ~ 1, mfg 27- maj -2024
522101	POLERAD	200	Cz	P	B	100	710~740	0.01~0.02
522102	POLERAD	200	Cz	P	B	100	710~740	0.009~0.02
522103	POLERAD	200	Cz	P	B	100	710~740	0.015~0.02
522104	POLERAD	200	Cz	P	B	100	705~745	0.014~0.022
522105	POLERAD	200	Cz	P	B	100	710~740	0.014~0.02
522106	POLERAD	200	Cz	P	B	100	725±15	0.001~0.003
522107	POLERAD	200	Cz	P	B	100	710~740	0.0025~0.0035
522108	POLERAD	200	Cz	P	B	100	725±15	0.005~0.01
522109	POLERAD	200	Cz	P	B	100	710~740	0.002~0.0033
522110	POLERAD	200	Cz	P	B	100	725±15	0.0035~0.004
522111	POLERAD	200	Cz	P	B	100	640±13	0.012~0.0175	LTO+NOLM
522112	POLERAD	200	Na	N	Som	100	725±15	0.001~0.003
522113	POLERAD	200	Cz	P	B	111	725±15	0.005~0.01
522114	POLERAD	200	Cz	P	B	100	725±50	1~65
522115	POLERAD	200	Cz	P	B	100	725±15	Mindre än eller lika med 40
522116	POLERAD	200	Cz	P	B	100	725±15	0.002~0.003
522117	POLERAD	200	Cz	P	B	100	710~740	0.0033~0.005
522118	POLERAD	200	Cz	P	B	100	725±15	0.003~0.004
522119	POLERAD	200	Cz	P	B	100	725±15	0.001~0.003
522120	POLERAD	200	Cz	P	B	111	725±20	0.002~0.005
522121	POLERAD	200	Cz	P	B	100	725±15	0.003~0.0035
522122	POLERAD	200	Cz	P	B	100	725±15	0.008~0.02
522123	POLERAD	200	Cz	P	B	100	725±15	0.0023~0.004
522124	Etsad	200	Na	Na	Na	Na	745	Na	LTO+NOLM
522125	POLERAD	200	Cz	P	B	100	705~745	0.01~0.02	LTO+NOLM
SO617PRAU	Sputterad au	150	Cz	P	B	100	500±15	10~25	Sputterad ti30nm+au100nm
PS241025006	Soi	200	Cz	P	B	100	650±5	8~12	Enhet: 30 ± 0 . 5μm, 0,01 ~ 0,02 ohm.cm / låda: 1 ± 0,1μm, skår<110>
503141	POLERAD	100	Cz	P	B	110	20000±100	1~100
PS250407006	Soi	200	Cz	N	Ph	100	725±10	1~10	Enhet: 2 ± 0,5 um / låda: 1000 nm ± 5%
PS250407007	Soi	200	Cz	N	Ph	100	725±10	1~10	Enhet: 10 ± 0,5 um / låda: 1000 nm ± 5%
PS250407008	Soi	200	Cz	N	Ph	100	725±10	1~10	Enhet: 3 ± 0,5 um / ruta: 1000 nm ± 5%
505061	Jgs1	100					555±7		DSP, SQ ＜ 0,5 NM, 10/5, TTV<5μm, Flat 32.5mm
505301	Oxid+nitrid	200	Cz	P	B	100	725±25	1~100	3μm termisk oxid +300 nm LPCVD -nitrid
203171PW3PT	Sputterad pt	150	Cz	N	Ph	100	675±25	0.001~0.005	3000a Termisk oxid+Ti50nm+PT 200nm
506162	POLERAD	200	Cz	N	Ph	100	700~750	1000~12000	N/ph t1 ~ 10/r0.01 ~ 1, mfg 27- maj -2024