Produktbeskrivning
SiC epi wafer är en högkvalitativ och avancerad halvledarprodukt på marknaden. Det är en typ av epitaxial kiselkarbidskiva som ger utmärkt prestanda i olika elektroniska och optiska applikationer. SiC epi-wafern tillverkas genom att använda avancerade tekniker för kristalltillväxt, vilket resulterar i ett högkvalitativt material med överlägsna egenskaper.
En av de betydande fördelarna med SiC epi-wafer är dess höga genombrottsspänning, vilket gör den till ett idealiskt val för applikationer med hög effekt och hög temperatur. Den är också mycket motståndskraftig mot termisk och mekanisk påfrestning, vilket säkerställer stabilitet och hållbarhet även i tuffa miljöer. Dess utmärkta värmeledningsförmåga möjliggör effektiv värmeavledning, vilket minskar risken för värmeskador på elektroniska komponenter.
SiC epi-wafern används ofta i olika elektroniska och optoelektroniska enheter, inklusive kraftelektronik, belysning och sensorer. Den ger utmärkt prestanda och tillförlitlighet, även i krävande applikationer som kräver hög temperatur och hög effekt. Dessutom är det ett miljövänligt och hållbart alternativ till traditionella silikonbaserade material, vilket gör det till ett idealiskt val för miljömedvetna konsumenter.
|
4H N-TYP SiC 100 MM, 350μm WAFER SPECIFIKATION |
|||
|
Artikelnummer |
W4H100N-4-PO (eller CO)-350 |
||
|
Beskrivning |
4H SiC-substrat |
||
|
Polytyp |
4H |
||
|
Diameter |
(100+0.0-0.5) mm |
||
|
Tjocklek |
(350±25) μm (ingenjörsgrad ±50μm) |
||
|
Bärartyp |
n-typ |
||
|
Dopant |
Kväve |
||
|
Resistivitet (RT) |
0.012-0.025Ω▪cm (teknikbetyg<0.025Ω▪cm) |
||
|
Wafer orientering |
(4+0.5) grad |
||
|
Ingenjörsgrad |
Produktionsklass |
Produktionsklass |
|
|
2.1 |
2.2 |
2.3 |
|
|
Mikrorördensitet |
Mindre än eller lika med 30 cm-² |
Mindre än eller lika med 10cm-² |
Mindre än eller lika med 1 cm-² |
|
Micropipe Fritt område |
Ej angivet |
Större än eller lika med 96 % |
Större än eller lika med 96 % |
|
Orienteringslägenhet (OF) |
|
||
|
Orientering |
Parallell {1-100} ±5 grader |
||
|
Orientering platt längd |
(32,5±2.0) mm |
||
|
ldentifieringslägenhet (IF) |
|
||
|
Orientering |
Sida: 90 grader cw, från orientering platt ±5 grader |
||
|
ldentifiering platt längd |
(18.0+2.0) mm
|
||
|
Yta |
Alternativ 1: Si-face standardpolish Epi-ready C-face optisk polish |
||
|
Alternativ 2: Si-face CMP Epi-ready, C-face optisk polish |
|||
|
Paket |
Flera wafer (25) fraktlåda |
||
|
(Enstaka oblatpaket på begäran) |
|||
|
6H N-TYP SiC, 2" WAFER SPECIFIKATION |
|
|
Artikelnummer |
W6H51N-0-PM-250-S |
|
Beskrivning |
Produktionsgrad 6H SiC-substrat |
|
Polytyp |
6H |
|
Diameter |
(50,8±38) mm |
|
Tjocklek |
(250±25) um |
|
Bärartyp |
n-typ |
|
Dopant |
Kväve |
|
Resistivitet (RT) |
0.06-0.10Ω▪cm |
|
Wafer orientering |
(0+0.5) grad |
|
Mikrorördensitet |
Mindre än eller lika med 100 cm-² |
|
Orientering platt orientering |
Parallell {1-100} ±5 grader |
|
Orientering platt längd |
(15,88±1,65) mm |
|
Identifiering platt orientering |
Si-face: 90 grader cw. panna orientering platt ±5 grader |
|
ldentifiering platt längd |
(8+1.65) mm |
|
Yta |
Si-face standard polish Epi-ready |
|
C-face mattad |
|
|
Paket |
Paket enstaka wafer-paket eller flera wafer-fraktlåda |
Produktbild
varför välja oss
Våra produkter kommer uteslutande från världens fem främsta tillverkare och ledande inhemska fabriker. Stöds av högutbildade inhemska och internationella tekniska team och stränga kvalitetskontrollåtgärder.
Vårt mål är att ge kunderna omfattande en-till-en-support, vilket säkerställer smidiga kommunikationskanaler som är professionella, aktuella och effektiva. Vi erbjuder en låg minimibeställningskvantitet och garanterar snabb leverans inom 24 timmar.
Fabriksutställning
Vårt stora lager består av 1000+ produkter, vilket säkerställer att kunder kan lägga beställningar för så lite som ett stycke. Vår egenägda utrustning för tärning och bakslipning och vårt fullständiga samarbete i den globala industrikedjan gör att vi kan leverera snabbare för att säkerställa kundnöjdhet och bekvämlighet.
Vårt certifikat
Vårt företag är stolta över de olika certifieringar vi har tjänat, inklusive vårt patentcertifikat, ISO9001-certifikat och National High-Tech Enterprise-certifikat. Dessa certifieringar representerar vårt engagemang för innovation, kvalitetsledning och engagemang för excellens.
Populära Taggar: sic epitaxial wafer, Kina sic epitaxial wafer tillverkare, leverantörer, fabrik
