Wafers gjorda av kisel på isolator (SOI) tillverkas med tre primära metoder: epitaxiell skiktöverföring, bondad SOI och kisel på isolator. Varje teknik har sina egna fördelar och fördelar.
Först och främst kan ett lager av kisel skapas ovanpå ett isolerande lager, såsom kiseldioxid, med hjälp av tekniken silikon på isolering. Med denna metod separeras det översta kiselskiktet och det underliggande substratet av ett nedgrävt oxidskikt som skapas via jonimplantation. Denna metod fungerar särskilt bra för att producera wafers med enastående värmeledningsförmåga och homogena lager.
För det andra binds ett tunt lager av premiumkisel på ett isolatorsubstrat med den bondade SOI-processen. Detta åstadkoms genom att fästa ett tunt lager av kisel på ett substrat efter att det har skapats via jonimplantation eller epitaxiell tillväxt. Denna process gör det möjligt att skapa högintegrerade kretsar och är perfekt för att producera wafers med specifika tjocklekar.
Slutligen är en annan metod för att producera SOI-skivor epitaxiell skiktöverföring. Med hjälp av epitaxiella tillväxttekniker bildas ett tunt lager av kisel på ett donatorsubstrat i denna process. Därefter binds detta skikt på ett isolerande substrat via kemisk mekanisk polering och waferlimning. En överlägsen SOI-skiva med exceptionella elektriska egenskaper är slutprodukten.
